• 微纳电路离子刻系统IBE150 产品型号:IBE150
    微纳电路离子刻系统
详细内容

基本参数

1、刻蚀尺寸:6吋及以下;

2、刻蚀材料:单晶硅、多晶硅、SiO2Si3N4AlWMo和金属氧化物薄膜等;

3、离子束入射角:0~90°之间任意调整;

4Ar+离子能量范围:100~1000eV,连续可调;

5、离子束流密度:0~1.0mA/cm2,连续可调

6、有效离子束直径:≥Φ150mm

7、刻蚀速率:0.02~1.0μm/min

8、中和装置:带有热丝结构的电子中和装置;

9、操作方式:工艺过程全自动控制;

10、系统总控:人机界面及触摸屏控制程序;

11、电 源:220VAC/50Hz10KW

12、机器重量:700kg

13、机器尺寸: D810mm× W1520mm×H1830mm

 

电源及刻蚀反应室

1、电源:直流电源。

2、反应室:上盖启闭,操作方便,单室;

3、反应室规格:Φ400´300mm

4、真空度:≤2×10-4 Pa(腔体充分烘烤除气,去湿后)

5、抽气时间:系统充干燥 N2解除真空后短时暴露,大气压~ 5×10-3 Pa 时间≤ 30min

 

真空测量系统及气体配置

1、真空计:数显复合真空计 1套,测量低真空和高真空;

2、供气:Ar气体,进气压力0.40.6Mpa,工艺气体纯度为:99.999﹪。

 

冷却系统

1、配备冷却水循环系统;

2、保护系统:对泵、电极等缺水等异常情况进行报警并执行相应保护。

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