基本参数

1、刻蚀尺寸：6吋及以下；

2、刻蚀材料：单晶硅、多晶硅、SiO2、Si3N4、Al、W、Mo和金属氧化物薄膜等；

3、离子束入射角：0~90°之间任意调整；

4、Ar+离子能量范围：100~1000eV，连续可调；

5、离子束流密度：0~1.0mA/cm2，连续可调

6、有效离子束直径：≥Φ150mm；

7、刻蚀速率：0.02~1.0μm/min；

8、中和装置：带有热丝结构的电子中和装置；

9、操作方式：工艺过程全自动控制；

10、系统总控：人机界面及触摸屏控制程序；

11、电 源：220VAC/50Hz，10KW；

12、机器重量：700kg；

13、机器尺寸: D810mm× W1520mm×H1830mm。

电源及刻蚀反应室

1、电源：直流电源。

2、反应室：上盖启闭，操作方便，单室；

3、反应室规格：Φ400´300mm；

4、真空度：≤2×10-4 Pa(腔体充分烘烤除气，去湿后)；

5、抽气时间：系统充干燥 N2解除真空后短时暴露，大气压~ 5×10-3 Pa 时间≤ 30min。

真空测量系统及气体配置

1、真空计：数显复合真空计 1套，测量低真空和高真空；

2、供气：Ar气体，进气压力0.4～0.6Mpa，工艺气体纯度为：99.999﹪。

冷却系统

1、配备冷却水循环系统；

2、保护系统：对泵、电极等缺水等异常情况进行报警并执行相应保护。