• 微纳电路反应离子蚀机RIE100 产品型号:RIE100
    微纳电路反应离子蚀机
详细内容

基本参数

1、刻蚀尺寸:4吋及以下;

2、刻蚀材料:单晶硅、多晶硅、SiO2Si3N4GaNGaAs等;

3、刻蚀速率:0.2~0.9μm/min

4、刻蚀距离调节:10mm~ 60mm

5、操作方式:半自动控制方式;

6、系统总控:人机界面及控制程序;

7、电源:220VAC/50Hz9KW

8、机器重量:600kg

9、机器尺寸:  D810mm× W1520mm×H1550mm

 

电源及刻蚀反应室

1、电源:13.56MHz0.5KW

2、反应室:单室,上盖启闭,操作方便;

3、反应室规格:Φ300´110mm

4、真空度:≤2×10-4 Pa(腔体充分烘烤除气,去湿后)

5、抽气时间:系统充干燥 N2解除真空后短时暴露,大气压~ 5×10-3 Pa 时间≤ 30min

 

真空测量系统及气体配置

1、真空计:数显复合真空计 1套,测量低真空和高真空;

2、供气接口:N2O2 CF4CHF3SF6以及压缩空气,进气压力 0.40.6Mpa,工艺气体纯度为:99.999

 

冷却系统

1、配备冷却水循环系统;

2、保护系统:对泵、电极等缺水等异常情况进行报警并执行相应保护。

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